HY5110W دیتاشیت

HY5110W

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY5110W
حجم فایل 48.241 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HY5110W

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY5110W
  • Power Dissipation (Pd): 500W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 316A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.5mΩ@10V,158A
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه